Description
Caractéristiques techniques :
- Format : M.2 2280
- Interface : PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
- Capacité : 500 Go
- Vitesse de lecture séquentielle : jusqu’à 6 900 Mo/s
- Vitesse d’écriture séquentielle : jusqu’à 5 000 Mo/s
- Type de mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Contrôleur : Samsung Elpis
- Endurance : environ 300 To écrits (TBW) pour le modèle 500 Go
